第三代半导体行业报告（二）：产业链解析碳化硅东风在即产业链爆发拐点将至

  衬底材料改变标志着半导体更新换代。第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作时候的温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，待成本下降有望实现全面替代。

  从产业链角度分析，碳化硅行业主要可分为衬底、外延和器件三个重点环节。其中，衬底在产业链中价值量占比最高，接近50%，国内外市场主要由WolfSpeed、II-VI、山东天岳等SiC衬造厂商占据。外延价值量占比23%，国内市场领先企业包括东莞天域和瀚天天成等SiC外延制造厂，国外市场外延环节主要被衬底及IDM厂商包揽。器件价值量占比22%，国内外市场主要由布局SiC器件的传统功率半导体龙头厂商占据。

  衬底：制备成本高短期制约SiC规模化发展，大尺寸化加速降本，行业爆发拐点将至。根据后续生长外延层的不同，SiC衬底可大致分为半绝缘型衬底（SiC衬底+GaN外延），主要使用在于5G通信、卫星等高频需求领域，以及导电型衬底（SiC衬底+SiC外延），主要使用在于新能源汽车、光伏发电等高压需求领域。据Yole数据，2020-2025年全球半绝缘型+导电型衬底市场规模CAGR有望超过30%以上。然而因SiC衬底面临长晶速度慢、良率低等问题，导致衬备成本过高，制约了行业规模化发展。目前，国内外企业在加速技术提升的同时，逐步将SiC晶圆由6寸向8寸发展，大尺寸化将加速降本，行业有望迎来爆发拐点。

  外延：外延技术关乎最终器件性能，高压领域技术亟待突破。外延环节最重要的参数为厚度及掺杂浓度，主要根据设计时电压等级的不同。目前，在中低压领域，外延技术已相对成熟，主要使用在于消费、汽车电子、新能源发电等领域，而高压领域，SiC产品拥有更强的竞争力，但目前技术仍处于研发阶段。

  器件：SiC器件性能优势显著，国内外企业群雄并起。与硅基MOSFET、IGBT相比，SiCMOSFET在开关效率、损耗、尺寸、频率、体积等指标上都更具有优势。相同规格SiCMOSFET和SiMOSFET相比，体积甚至能够缩小1/10，导通电阻缩至1/200，相同规格SiC-MOSFET和Si-IGBT相比，能量损失小于1/4。在SiC产品性能占据全面优势的背景下，以国内外传统功率大厂为主的各家企业均开始加速布局SiC产品，国内外市场将迎来群雄并起的市场格局。目前，虽然国外企业在技术、产能等方面具有先发优势，但SiC行业发展历史相对较短，国内外差距比较小，在需求高涨的背景下，国内企业有望加速实现国产替代。

  投资建议：海外有突出贡献的公司具备先发优势，在产品及产能方面短期领先于国内。但总的来看，SiC产业高质量发展历史相对较短，国内企业有望实现弯道超车，建议关注各环节技术领先的有突出贡献的公司，包括衬底环节：天岳先进、露笑科技、天科合达（未上市）；外延环节：东莞天域（未上市）、瀚天天成（未上市）、器件环节：斯达半导、时代电气、新洁能、华润微、士兰微、扬杰科技、闻泰科技、捷捷微电。风险提示（1）新能源汽车销量及SiC渗透率没有到达预期（2）SiC国产化进度没有到达预期；（3）政策支持有所减弱

  证券之星估值分析提示露笑科技盈利能力比较差，未来营收成长性较差。综合基本面各维度看，股价偏高。更多

  证券之星估值分析提示扬杰科技盈利能力良好，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多

  证券之星估值分析提示捷捷微电盈利能力良好，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多

  证券之星估值分析提示士兰微盈利能力平平，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价偏高。更多

  证券之星估值分析提示闻泰科技盈利能力良好，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多

  证券之星估值分析提示斯达半导盈利能力优秀，未来营收成长性良好。综合基本面各维度看，股价合理。更多

  证券之星估值分析提示新洁能盈利能力优秀，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多

  以上内容与证券之星立场无关。证券之星发布此内容的目的是传播更多详细的信息，证券之星对其观点、判断保持中立，不保证该内容（包括但不限于文字、数据及图表）全部或者部分内容的准确性、真实性、完整性、有效性、及时性、原创性等。相关联的内容不对各位读者构成任何投资建议，据此操作，风险自担。股市有风险，投资需谨慎。如对该内容存在异议，或发现违法及不良信息，请发送邮件至，我们将安排核实处理。