章源钨业请求一种 CC-SiC 复合资料及其制备办法下降熔融浸透温度、改性陶瓷基体资料并获得更好浸透作用
金融界 2024 年 9 月 18 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，崇义章源钨业股份有限公司请求一项名为“一种 C/C-SiC 复合资料及其制备办法“，公开号 CN0.0，请求日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显现，本发明归于碳陶复合资料技术领域，详细触及一种 C/C‑SiC 复合资料及其制备办法，在熔融浸透粉末傍边参加包含 Si 粉、Al2O3 粉、SiC 粉、AlSi 合金粉以及稀土氧化物粉的混合粉体能够更好的下降熔融浸透温度，一起对陶瓷基体资料来改性；选用微波加热进行快速升温，能够缩短熔融浸透所需时刻、产品致密度更好、机械性能更佳；在熔融浸透过程中施加超波声能获得更好的浸透作用。本发明所述 C/C‑SiC 复合资料的密度≥2.3g/cm3，抗住压力的强度≥300MPa，曲折强度≥305MPa，断裂韧性≥34MPa·m1/2。
