【48812】我国科大主导拟定半导体线宽检测的首个ISO世界规范

　　近来，世界规范化安排（ISO）正式对外发布了微束剖析范畴中的一项世界规范：“根据测长扫描电镜的要害规范评测办法”（Microbeam analysis — Scanning electron microscopy — Method for evaluating critical dimensions by CD-SEM (ISO 21466)），该规范由我国科学技能大学物理学院和微规范物质科学国家研讨中心的丁泽军团队主导拟定，是半导体线宽丈量方面的首个世界规范，也是半导体查验测验范畴由我国主导拟定的首个世界规范，该规范的发布有助于促进半导体评测技能的开展，并提高我国在半导体职业的世界影响力和竞争力。

　　半导体职业的开展一日千里，对集成电路器材加工规范的操控也要求日趋精密。芯片上的物理规范特征被称为特征规范，其间最小的特征规范称为要害规范（CD），其巨细代表了半导体制作工艺的复杂性水平。对CD丈量也可称为纳米规范线宽丈量，现在半导体的刻蚀线 nm以下，其丈量的精准性直接决议着器材的功能。纳米器材规范的精确和精确（精度1 nm）丈量技能对半导体职业的开展起着至关重要的效果，也是极具挑战性的作业。人们已开展了多种丈量技能办法，如散射丈量、原子力显微镜、透射电子显微镜和扫描电子显微镜，而测长扫描电镜（CD-SEM）是半导体工业生产里进行实时监控与线宽丈量的最为简洁和高效的办法。但是，因为扫描电镜的二次电子信号发射在线宽边缘处的加强效应，纳米级线宽的CD-SEM图画的解析要树立高精准算法。

　　丁泽军团队长时间从事电子束与资料相互效果范畴里的基础研讨，开展了现在世界上最为先进的用于扫描电子显微术和外表电子能谱学的Monte Carlo模仿核算办法，他们结合了NIST研讨团队提出的“根据模型数据库”（MBL）办法，提出了该“根据测长扫描电镜的要害规范评测办法”的ISO世界规范（IS）。规范文档指定了使用CD-SEM成像表征刻蚀线宽的结构模型及其相关参数、Monte Carlo模仿模型和成像扫描线核算办法、MBL数据库结构办法和文件格局、图画匹配拟合程序和CD参数定值法。与传统的阅历阈值办法比较，该丈量办法可以给出精确的CD值，而且把线宽丈量从单一参数扩展到包括结构描摹特征的信息，适用于如晶圆上的栅极、光掩模、规范小至10 nm的单个孤立的或低落的线条特征图画，这不仅为半导体刻蚀线宽的CD-SEM精确评测确认了职业规范，也为一般性纳米级规范的其它丈量法供给了参阅。

　　研讨团队自2011年始，在973项目“纳米丈量技能规范的基础研讨”课题“根据SEM的纳米测长模型”的研讨成果基础上，于2014年在ISO/TC202/SC4做了新规范项目提案陈述，2015年递送投票新规范项目提案，2016年5月投票经过予以世界规范（IS）正式立项。该规范草案先后阅历了四轮成员国投票，于2019年9月27日终轮投票经过，规范现已正式出书（）。

　　参加该规范相关研讨和拟定作业的团队首要成员为：邹艳波（现新疆师范大学）、李永钢（现中科院合肥物质科学研讨院）、李会民（现中科大超级核算中心）。上述研讨得到了科技部973项目、国家自然科学基金委和中科大超算中心的支撑。